晶圓鍵合自動系統能接受4個以上的鍵合腔體，可配置整個的晶圓鍵合過程，包括陽極鍵合、熱壓鍵合、低溫等離子體鍵合以及尺寸達300毫米的晶圓鍵合。
自動晶圓黏著鍵合技術確保堆疊式設備實現高產。
晶圓鍵合自動系統是一種重要的加工技術，它使用一個中間層（典型的聚合體）來粘接兩個基層，被廣泛地運用在先進封裝中。該方法的主要優勢在于實現低溫加工、使材料表面平整化和提高晶圓形貌的耐久性。在CMOS圖像傳感器的應用方面，晶圓黏著鍵合技術會在圖像傳感器材料表面和晶圓的玻璃蓋片之間設置一層保護屏障。在3D-IC硅通孔（TSV）技術的應用上，晶圓鍵合技術在臨時性貼合和剝離上發揮著重要作用，晶圓通過膠粘劑被臨時安裝在相關載體上，以實現真正的薄型化和后臺封裝。
無論是在CMOS圖像傳感器還是堆疊式邏輯存儲器的應用方面，晶圓鍵合自動系統技術責任重大，它是制造商轉而制造較大的晶圓基層（300毫米）以降低整體生產成本的必然選擇。例如，鍵合后能否將粘膠層的總厚度變化（TTV）降到最小是影響最終產品厚度公差的關鍵。這也將最終影響薄化晶圓和設備在提高接合密度和降低硅通孔（TSV）整合成本的能力。晶圓鍵合自動系統通過可重復晶圓間加工技術對TTV及其它參數實現較強控制，并協調內聯度量以在鍵合過程中監控TTV。由此可見，制造商將不斷尋求與EVG的合作，以此來滿足其對系統的大量需求。
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