接觸式光刻機的曝光方式大致可分為以下三種

　　接觸式光刻機的核心原理就是一個透鏡組，在精度上首先咱們有個概念：我們現在芯片的線條精度已發展到10nm級別，而較大的原子直徑是將近1nm，我們把芯片放在電子顯微鏡下即可清晰地數出每個線條上有幾個原子，“調節屈光度”是典型的幾何光學（初等光學）概念，遠遠實現不了這個精度。

 

　　接觸式光刻機的曝光方式：

　　主要有三種，分別是接觸式曝光、非接觸式曝光和投影式曝光。

　　1、接觸式曝光：就是將掩膜與還沒加工基片的光膠層直接接觸并進行的曝光；

　　2、非接觸式曝光：是指掩膜和基片的光膠層不直接接觸來實現圖形復印的曝光；

　　3、投影式曝光：是指掩膜與基片不直接接觸，但用投影儀分方式來實現圖形轉移。

 

　　接觸式光刻機的主要性能指標有：

　　支持基片的尺寸范圍，分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。

　　分辨率是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。

　　對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。

　　曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。

　　曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區域，光源有汞燈，準分子激光器等。